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元器件采购网 > 2-696页 > 晶体管(BJT) - 阵列2N6989U

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2N6989U

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2N6989U参数
产品类别:分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列
说明:TRANSISTR NPN QUAD HERMETIC SMD
包装数量:1
包装形式:散装
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晶体管类型:4 NPN(四路)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):800mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 150mA,10V
功率 - 最大:1W
频率 - 转换:-
安装类型:表面贴装

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